技術(shù)編號(hào)：6846741
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件的制造技術(shù)，尤其涉及有效應(yīng)用于以窄節(jié)距配置有多個(gè)電極焊盤(pad)的半導(dǎo)體集成電路的電檢測(cè)的技術(shù)。背景技術(shù) 在日本特開(kāi)2001-116796號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1(對(duì)應(yīng)歐洲公報(bào)EP1074844))中公開(kāi)了如下IC設(shè)備或晶片用錫球的測(cè)試方法及裝置。即，通過(guò)重新修整IC陣列內(nèi)的錫球，使IC陣列內(nèi)的全部錫球的接觸表面為同一平面，并向錫球的接觸表面和IC襯底之間提供均等的補(bǔ)償(offset)來(lái)大幅度減小使IC陣列內(nèi)的全部焊料凸塊(sold...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。