技術(shù)編號：6846662
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種三維極精細(xì)構(gòu)圖方法，其中通過分子束外延方法，在化合物半導(dǎo)體AlxGayIn1-x-yAszP1-z上外延生長III-V族化合物半導(dǎo)體晶體。背景技術(shù) 現(xiàn)在，光學(xué)精細(xì)圖形光刻已經(jīng)達(dá)到進(jìn)一步發(fā)展以及使半導(dǎo)體相關(guān)的工業(yè)在經(jīng)濟(jì)和工業(yè)領(lǐng)域中仍然保持牽引作用的極限，發(fā)展一種新的方法論以擴(kuò)大范圍是非常緊急的事情。認(rèn)為納米技術(shù)可打破僵局，將精細(xì)圖形光刻從復(fù)雜性、大尺寸和高成本的束縛中釋放出來。旨在提供一種三維納米制造技術(shù)，以滿足以少的量(允許的設(shè)計變化和低成本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。