技術(shù)編號：6846655
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種柔性單晶膜和一種由單晶片制造柔性單晶膜的方法。即，通過利用各種晶片薄化技術(shù)，本發(fā)明可將包括基底晶片、一個或一個以上埋入絕緣體層以及單晶層的絕緣體上硅(silicon-on-insulator，SOI)晶片制造成具有所需厚度的柔性單晶膜。本發(fā)明還涉及由單晶半導(dǎo)體晶片制造上面制造有各種電子器件的柔性膜。即，一旦在包含基底晶片、埋入絕緣體層和單晶層的SOI晶片上建構(gòu)了具有所需特征的電子器件，本發(fā)明就可通過利用多種晶片薄化技術(shù)來制造具有多種電子器件且...
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