技術(shù)編號(hào)：6846566
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體制造。 背景技術(shù)在諸如集成電路、存儲(chǔ)器單元等半導(dǎo)體裝置的制造中，需要執(zhí)行一系列搮作從而在半導(dǎo)體晶片上定義特征.該半導(dǎo)體晶片包括形式上為定義于硅襯底上的多層結(jié)構(gòu)的集成電路裝置.在襯底層，形成了具有擴(kuò)散區(qū)的晶體管裝置。在后續(xù)層中，互連金屬化線被圖形化并電連接到晶體管裝置從而定義預(yù)期的集成電路裝置。同樣地，困形化的導(dǎo)電層通過電介質(zhì)材料與其它導(dǎo)電層絕緣。在半導(dǎo)體晶片上定義特征的一系列操作包括諸多工藝，例如添加、圖形化、腐蝕、除去、拋光等各種材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。