技術(shù)編號：6846416
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種分離(分割)合成件的方法和一種用來生產(chǎn)薄膜的過程。具體地說，本發(fā)明屬于最好用來生產(chǎn)在太陽能電池和半導(dǎo)體晶片中使用的薄膜的過程的。在絕緣體上的單晶半導(dǎo)體層的形成叫作SOI，即絕緣體上的硅或絕緣體上的半導(dǎo)體。對其已經(jīng)進(jìn)行了大量研究，因為利用SOI技術(shù)的裝置具有多個優(yōu)點不能由其上要制造硅集成電路的通常的大體積硅基片實現(xiàn)。特別是，SOI技術(shù)的采用產(chǎn)生如下優(yōu)點，即，SOI技術(shù)在例如如下幾點上是優(yōu)越的。(1)它使借助于容易分離的電介質(zhì)能實現(xiàn)高度集成。(2...
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