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在半導(dǎo)體制造工藝中形成低k電介質(zhì)的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6845442

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本發(fā)明涉及集成電路制造,更具體地,涉及在集成電路制造中低K電介質(zhì)薄膜的形成。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體的制造中,發(fā)展之一就是使用低K電介質(zhì)作為層間電介質(zhì)(ILD),該層位于半導(dǎo)體襯底上方的導(dǎo)電層之間。這種低K電介質(zhì)是為了減小在被用作互連的導(dǎo)體之間的電容耦合。在速度高度優(yōu)先的情況下,常常是這種情況,減小電容耦合是特別重要的。低K材料代表性地既不是最好的絕緣體也不是最容易以高成品率制造的。為了實(shí)現(xiàn)為成功操作所必需的全部特征,常常需要阻擋層和帽層。這些附加的層增加步驟,...
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