技術(shù)編號：6845365
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及基于半導(dǎo)體的光發(fā)射器，且更特定言的系關(guān)于包含形成于基層上的發(fā)射區(qū)域的發(fā)光二極管。背景技術(shù) 發(fā)光二極管(LED)是將電能轉(zhuǎn)換為光且通常包含夾在兩相對的摻雜層之間的半導(dǎo)體材料的活性層的一種重要類型的固態(tài)裝置。當(dāng)將偏壓施加于摻雜層上時，將空穴與電子注入活性層，在那里它們重新組合以產(chǎn)生光。自活性層和自LED的所有表面全方向地發(fā)光。由于包括高擊穿場、寬帶隙(室溫下對于GaN為3.36eV)、大傳導(dǎo)帶偏移與高飽和電子漂移速率的材料特性的獨特組合，由基于第II...
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