技術(shù)編號(hào):6844806
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。方法本發(fā)明涉及一種用于電學(xué)、光學(xué)或光電子學(xué)包括埋入層的結(jié)構(gòu)的制造,該結(jié)構(gòu)的制造包括使用易于蝕刻埋入層的化學(xué)種類的化學(xué)處理。在該文件中,術(shù)語(yǔ)埋入層將用于包含在結(jié)構(gòu)中并在該結(jié)構(gòu)中其上方和下方具有材料的任意層,該材料特性實(shí)質(zhì)上與鄰近材料的特性不同。背景技術(shù) 用于電學(xué)、光學(xué)或光電學(xué)的現(xiàn)代結(jié)構(gòu)主要為半導(dǎo)電的,通常包括這種層,例如其中埋入層為電性絕緣層如SiO2或Si3N4層的SOI(絕緣體上硅)結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)或晶片的制造經(jīng)常使用以下技術(shù)中的至少一種外延,晶片之間的接...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。