技術編號：6844791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。這項專利申請要求德國專利申請10335081.0的優(yōu)先權，該專利申請的公開內容特此通過回引被采納。本發(fā)明涉及一種用于制造多個光電子半導體芯片的方法，所述光電子半導體芯片分別包括多個分別具有至少一個半導體層的結構元件。在此，所述結構元件的半導體層借助選擇性外延來生長。此外，本發(fā)明涉及一種按照這種方法所制造的光電子半導體芯片。例如在DE 19911717A1中說明了這種光電子半導體芯片以及相應的用于制造該光電子半導體芯片的方法。這種光電子半導體芯片包括多個輻射...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。