技術編號：6844729
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及半導體器件及制造領域，更加具體地，本發(fā)明涉及存儲元件和制造存儲元件的方法。背景技術 硫族化合物材料合金具有通過施加溫度在非晶相和晶相之間轉(zhuǎn)變的能力。相變既改變了材料的電學性能也改變了材料的光學性能。近來，這些材料已被引入諸如相變化存儲器(OUM)這樣的非易失性存儲元件。用于生產(chǎn)OUM的普通硫族化合物為GexSbyTez(GST)，其中典型值為x＝2，y＝2及z＝5。在輸入皮焦耳的能量的情況下，硫族化合物在毫微秒時段內(nèi)可以在多種電可探測的變化的...
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