技術(shù)編號：6843866
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及在短時間內(nèi)能夠成膜的。背景技術(shù) 利用現(xiàn)有的CVD的成膜裝置和方法例如公開在特開2001-185546號公報(專利文獻1)和特表2002-539326號(專利文獻2)中。專利文獻1公開了，在能夠真空排氣的真空容器內(nèi)，隔著電極部使設(shè)置基板的反應(yīng)室與等離子體形成室分離，在反應(yīng)室內(nèi)進行成膜的成膜裝置。電極部的結(jié)構(gòu)是網(wǎng)眼狀或梳狀，由此，將等離子體形成室形成的等離子體封閉在里面，采用游離基能夠透過的結(jié)構(gòu)。將上述等離子體形成室形成的游離基輸送到反應(yīng)室...
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