技術(shù)編號：6843376
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)休器件的制造領(lǐng)域。本發(fā)明尤其涉及雙極晶體管的制造領(lǐng)域。背景技術(shù) 基于砷化鎵(“GaAs”)的器件能夠提供多種應(yīng)用的功率和放大要求，所述應(yīng)用例如手機(jī)功率放大器，并且所述器件具有提高的線性度和功率效率。GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(“HBT”)尤其受到關(guān)注，其表現(xiàn)出高功率密度性能，使得其適于在用于CDMA、TDMA和GSM無線通信中的手機(jī)中用作低成本的高功率放大器。然而，手機(jī)功率放大器被要求在約-30.0℃到85.0℃之間的大溫度范圍內(nèi)工作。另外...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。