技術(shù)編號：6843027
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 盡管本發(fā)明原則上可用于任意的雙極晶體管，但是將針對DPSA晶體管說明本發(fā)明和其所基于的問題區(qū)域。如例如T.F.梅斯特等在IEMD technical Digest(IEMD技術(shù)文摘)1995，pp.739-741中所披露，DPSA(雙多晶硅自定位)晶體管將專門淀積的p+型多晶硅和n+型多晶硅層用作p+型基極引出端和n+型發(fā)射極接點(diǎn)。在這種情況下，在發(fā)射窗中，n+型多晶硅發(fā)射極層與基極引出端的p+型多晶硅層由隔離層以自定位的方式絕緣...
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