技術(shù)編號(hào):6840162
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法,更具體地說(shuō),涉及半導(dǎo)體器件中的自對(duì)準(zhǔn)接觸結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體器件集成度的提高,互連線之間的間隔減小了。隨著互連線之間間隔的減小,當(dāng)采用光刻技術(shù)限定接觸孔時(shí),可能出現(xiàn)不對(duì)準(zhǔn)。這些接觸孔通常穿透層間絕緣層,層間絕緣層位于設(shè)置為彼此平行的互連線之間。為了解決這個(gè)不對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題,近來(lái)已經(jīng)提出了自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)(SAC)。傳統(tǒng)的SAC工藝通常包含在半導(dǎo)體襯底上形成用絕緣層例如氮化硅層覆蓋的多個(gè)互連線,然后在生成的具有多條...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。