技術(shù)編號(hào):6839594
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有功能層的,例如電介質(zhì)電容器或太陽(yáng)電池。背景技術(shù) 自從1976年開(kāi)發(fā)了氫化非晶硅構(gòu)成的pn結(jié)以來(lái),對(duì)氫化非晶硅的研究非?;钴S。氫化非晶硅具有的結(jié)構(gòu)中,硅構(gòu)成的網(wǎng)中的懸掛鍵被氫或氟終止,可以在等于或低于300℃的低溫形成其膜。因此,該膜可以形成在廉價(jià)的玻璃襯底上。把氫化非晶硅應(yīng)用于功能器件例如薄膜晶體管(TFT)、太陽(yáng)電池或光傳感器已經(jīng)進(jìn)行了研究。但是,在TFT中采用氫化非晶硅時(shí),僅能獲得低至約0.1~0.5cm2/V.s的載流子遷移率。在太陽(yáng)電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。