技術(shù)編號：6838834
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型有關(guān)于一種熔絲，特別是有關(guān)于一種具有覆蓋層的熔絲，適用于半導體裝置。背景技術(shù)目前半導體裝置在進入極大規(guī)模集成電路制程后，必須縮短線間距以增加積集度，如此，在制造過程中產(chǎn)生的瑕疵或缺陷便有增加的趨勢，產(chǎn)出良率自然也隨之下降，因此，集成電路(IC)如存儲器裝置中的靜態(tài)隨機存取存儲器(SDAM)或動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，是利用冗余電路中熔絲的設置，來修復制造過程中產(chǎn)生瑕疵的存儲器單元，像經(jīng)過電性測試所得的瑕疵的存儲器單元，可藉由燒斷冗余電路中與...
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