技術(shù)編號(hào)：6838393
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明 本發(fā)明是關(guān)于。強(qiáng)介質(zhì)存儲(chǔ)器(FeRAM)就是在電容器部分使用強(qiáng)電介質(zhì)膜，通過其自發(fā)磁化保持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。迄今，以圖形化的抗蝕劑為掩模，通過利用反應(yīng)性氣體的干式刻蝕法形成電容器部分?？墒?，在現(xiàn)有的技術(shù)中，構(gòu)成電容器部分的材料，特別是，適合作為電極材料使用的白金(Pt)和銥(Ir)，由于對(duì)刻蝕中所用的氣體的反應(yīng)性低，所以一般通過提高了物理作用的刻蝕法(濺射刻蝕法)進(jìn)行刻蝕。這時(shí)，隨著刻蝕而發(fā)生的二次生成物在氣相中不能被除去，再次附著于抗蝕劑圖形的側(cè)壁...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。