技術(shù)編號:6837170
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,特別涉及這樣一種清洗液及使用了該清洗液的半導(dǎo)體裝置的制造方法,該清洗液實(shí)質(zhì)上不使布線層和埋入膜溶解,而能夠可靠地除去在將抗蝕劑圖形作為掩模的反應(yīng)性離子刻蝕(干刻蝕)之后殘留在半導(dǎo)體襯底上的抗蝕劑殘渣。在半導(dǎo)體裝置中,為了謀求器件的高速和高性能,正在向器件微型化方向發(fā)展。不僅對影響器件性能的晶體管等的元件部分,而且對布線結(jié)構(gòu)也要追求微型化。為了利用將抗蝕劑圖形作為掩模的干刻蝕形成微細(xì)圖形,必須使抗蝕劑圖形微細(xì)化和使用各向異性較強(qiáng)的干刻蝕。結(jié)果,在...
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