技術(shù)編號：6837167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及在具有把控制柵極疊層到作為電荷儲存層的浮置柵極上邊的所謂疊層?xùn)艠O構(gòu)造的存儲單元(單元晶體管)的半導(dǎo)體存儲器中使用的。眾所周知，半導(dǎo)體存儲器的構(gòu)成為把單元晶體管或外圍晶體管配設(shè)到同一襯底上。作為其一個例子，例如，人們熟知用電進行數(shù)據(jù)的寫入和擦除的EEPROM(Electrically Erasable andProgrammable Read Only Memory，電可擦寫可編程只讀存儲器)。附圖說明圖10概略性地示出了一個EEPRO...
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