技術(shù)編號：6836052
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。更具體，本發(fā)明涉及具有自對準(zhǔn)層的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法。背景技術(shù) 通常，通過在半導(dǎo)體襯底中形成限定多個(gè)有源區(qū)的場隔離層制造金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。通常使用淺溝槽隔離(STI)技術(shù)形成場隔離層。當(dāng)使用STI技術(shù)時(shí)，在半導(dǎo)體襯底上形成溝槽掩模圖形。然后在各向異性刻蝕工序中使用溝槽掩模圖形作為蝕刻掩模，以在半導(dǎo)體襯底處形成溝槽，然后填充溝槽以形成場隔離層。在形成非易失性存儲(chǔ)器的情況下...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。