技術(shù)編號(hào)：6835948
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種πι-v族化合物半導(dǎo)體晶片及其清洗方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體激光器、光纖通信用光接收組件、高速和高頻半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的發(fā)展，對(duì)III-V族化合物半導(dǎo)體材料——例如砷化鎵、磷化銦等——的清潔度，特別是其表面清潔度的要求越來越高。對(duì)于半導(dǎo)體晶片的主要應(yīng)用而言，其表面的主要污染物是顆粒和金屬離子。對(duì)于另一類半導(dǎo)體晶片硅晶片，已經(jīng)有了一套通用的清洗方法，即Kern和Puotinen 提出的 RCA 方法(RCA Review, vol. 31, pp...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。