技術(shù)編號：6835303
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是涉及具有電容器元件的半導(dǎo)體裝置，特別是具有電容器絕緣膜中采用立體形狀的強電介質(zhì)電容器元件的。背景技術(shù) 近年來，在具有電容器絕緣膜采用強電介質(zhì)的電容器元件的、所謂強電介質(zhì)存儲裝置領(lǐng)域中，也越來越要求元件微細(xì)化。但是，以往通過涂敷法形成強電介質(zhì)膜的成膜方法只能在平坦的面上形成強電介質(zhì)膜。因此，存儲單元的微型化是有界限的。為了解決這個問題，研究在階梯部上通過化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor DepositionCVD)法可能形成強電介質(zhì)膜的成膜...
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