技術(shù)編號(hào)：6835197
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和晶體管，尤其涉及Si/SiGe應(yīng)變層場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Si/SiGe strained-layer field-effect transistors)。背景技術(shù) 使用應(yīng)變Si制造的半導(dǎo)體Si/SiGe應(yīng)變層MOSFET由于在應(yīng)變Si層中具有更高的載流子遷移率而有提高性能的潛能。Si中的應(yīng)變一般是這樣形成的首先形成一個(gè)松弛的SiGe層，然后在頂部外延生長(zhǎng)Si層。由于SiGe的晶格常數(shù)比Si大，Si會(huì)處在拉伸應(yīng)變狀態(tài)下。下面的松弛的SiGe層可以...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。