技術(shù)編號(hào)：6835171
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底上制造電路器件，以及尤其涉及一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管制造方法，用于形成硅化物接觸以及硅化物金屬柵。背景技術(shù) 貫穿現(xiàn)有技術(shù)，金屬柵集成對(duì)CMOS晶體管以傳統(tǒng)工藝流程已經(jīng)證明非常難完成。在對(duì)源/漏(S/D)結(jié)激活退火所需要的高溫工藝中，大部分金屬柵材料與柵電介質(zhì)反應(yīng)。使金屬柵疊層免于受到高溫退火需要已經(jīng)導(dǎo)致了發(fā)展“柵最后”或“替代柵”工藝，最后制造柵疊層并在接下來(lái)的工藝過程中保持在500℃下。盡管現(xiàn)有技術(shù)的替代柵工藝增加...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。