技術(shù)編號(hào)：6835160
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種雙極晶體管，尤其涉及一種具有與發(fā)射極自對(duì)準(zhǔn)的、具有硅化物區(qū)的突出的非本征基極和發(fā)射極觸點(diǎn)邊界的雙極晶體管。與不包括自對(duì)準(zhǔn)的硅化物和自對(duì)準(zhǔn)的發(fā)射極觸點(diǎn)邊界的雙極晶體管相比，本發(fā)明的雙極晶體管呈現(xiàn)出減輕的寄生現(xiàn)象。本發(fā)明還涉及多種制造具有突出的非本征基極的雙極晶體管結(jié)構(gòu)的方法，其中所述基極具有與發(fā)射極自對(duì)準(zhǔn)的硅化物區(qū)和發(fā)射極觸點(diǎn)邊界。背景技術(shù) 截止頻率(fT)和最大振蕩頻率(fmax)是高速晶體管運(yùn)算速度的最具代表性的量度。因此，對(duì)高速晶體管的設(shè)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。