技術(shù)編號(hào)：6835126
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CVD(化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，所述CVD系統(tǒng)利用表面波激發(fā)等離子體形成薄膜。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體制造工藝中，使用等離子體CVD系統(tǒng)，所述等離子體CVD系統(tǒng)利用等離子體進(jìn)行薄膜制造。作為這種等離子體CVD系統(tǒng)，在現(xiàn)有技術(shù)中，已經(jīng)使用電容耦合等離子體(CCP)、電感耦合等離子體(ICP)、電子回旋加速器諧振(ECR-電子回旋加速器諧振)等離子體處理系統(tǒng)和類似的系統(tǒng)。而且，近年來(lái)，已開(kāi)始使用表面波激發(fā)等離子體(SWP)處理系統(tǒng)，其較之前的系統(tǒng)能夠容易地...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。