技術(shù)編號(hào)：6834955
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體摻雜制程，尤指一種將白金或黃金摻雜到半導(dǎo)體晶片內(nèi)，以達(dá)成需求的逆向回復(fù)時(shí)間(TRR)特性的半導(dǎo)體摻雜制程。背景技術(shù) 逆向回復(fù)時(shí)間(reverse recover time；TRR)是半導(dǎo)體PN接合面(PNJunction)的一種開關(guān)特性，一般定義為當(dāng)PN接合面從順向?qū)顟B(tài)切換到逆向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，半導(dǎo)體體內(nèi)儲(chǔ)存的電荷復(fù)合所需要的時(shí)間。如圖1所示，為一般半導(dǎo)體PN接合面開關(guān)特性曲線示意圖。其中橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示流過半導(dǎo)體的電流量I。如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。