技術(shù)編號：6834948
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關(guān)于使用了氮化物系半導(dǎo)體的半導(dǎo)體發(fā)光元件。背景技術(shù) 近年來廣泛開發(fā)研究所謂藍色LED和紫外LED的短波長LED，并已達到實用化。作為這些LED中使用的半導(dǎo)體，可使用禁帶寬度較大的GaN系化合物半導(dǎo)體。例如，專利文獻1中公開的半導(dǎo)體發(fā)光元件，是在藍寶石基板上外延成長GaN系緩沖層，再在其上依次層疊有n型GaN層、InGaN活性層、p型AlGaN層、和p型GaN層。而且將該半導(dǎo)體發(fā)光元件，使藍寶石基板沖上，面朝下安裝在配線基板上，在InGaN活性層中產(chǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。