技術(shù)編號(hào)：6834598
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種適用于同時(shí)形成雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)與MIM電容器的。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體元件集成度的增加，而進(jìn)入深次微米(Deep Sub-Micron)的工藝時(shí)，元件的尺寸逐漸縮小，相對(duì)的使作為電容器的空間愈來愈小。而電容器的容量是取決于上電極與下電極之間的表面積的大小。因此，目前用來解決半導(dǎo)體電容器尺寸縮小且容量必須增加的方法主要有兩種，即選擇具有高電容能力的介電層，以及增加電容器下電極的表面積。當(dāng)使用高介電常數(shù)的材料于電容器以解決上述問題時(shí)，相...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。