技術編號：6834511
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有金屬柵極的場效應晶體管(FET)和互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件，其中金屬柵極包括至少一部分通過電鍍淀積的材料。本發(fā)明還涉及在含有至少部分鍍覆的金屬柵極疊層的FET器件中制造金屬柵極的鍍覆方法。背景技術 先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件越來越多的利用金屬柵極材料代替更傳統(tǒng)的摻雜的多晶硅(poly-Si)，以便避免“多晶硅損耗”和“硼滲透”效應。用作柵極材料的特定金屬的選擇受到許多因素的影響，例如，所希望的功函數(shù)和電阻率、柵極要...
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