技術(shù)編號(hào):6834472
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金氧半場(chǎng)效晶體管的制造方法,特別是涉及一種功率金氧半場(chǎng)效晶體管(power MOSFET)的制造方法。背景技術(shù) 功率金氧半場(chǎng)效晶體管(晶體管即電晶體,以下均稱(chēng)為晶體管)是可用以放大功率、并且處理高電壓和大電流的半導(dǎo)體元件。以下以圖1A至圖1G來(lái)說(shuō)明現(xiàn)有習(xí)知的一種功率金氧半場(chǎng)效晶體管的制造流程。首先,請(qǐng)參閱圖1A所示,在具有磊晶層102的基底100上形成氧化硅閘極介電層104與多晶硅閘極層106。接著,請(qǐng)參閱圖1B所示,以微影與蝕刻技術(shù)定義多晶...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。