技術(shù)編號:6834143
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種晶片清洗方法。本發(fā)明尤其涉及用化學(xué)溶液化學(xué)清洗晶片后,在最后的晶片清洗過程中使用清潔水清洗晶片的方法與設(shè)備。背景技術(shù) 采取了多種措施以保護晶片不受半導(dǎo)體制造過程中的污染和用于提高晶片上提供的半導(dǎo)體元件的特性和產(chǎn)量的其它意外的污染。一般來說,用化學(xué)溶液來清洗晶片。用來清洗晶片的普通化學(xué)溶液包括鹽酸和過氧化氫的混合水溶液,氨水和過氧化氫的混合水溶液,以及濃硫磺酸和過氧化氫的混合溶液。也普遍使用氫氟酸的水溶液。最近,也使用氫氟酸和臭氧水的混合水溶液...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。