技術(shù)編號：6834017
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于磁盤驅(qū)動器的。更具體地，本發(fā)明涉及一種包括了共同安置在浮動塊上的磁阻元件和過壓保護電路的。背景技術(shù) 通常為磁盤驅(qū)動器提供的磁阻效應(yīng)型磁頭是一種磁阻元件(如MR元件，MGR元件和TMR元件)。遺憾地是，這種磁阻元件由于其低耐壓性容易受到損害。現(xiàn)行的GMR(巨磁阻)磁頭在0.5伏就會受損，較有使用前景的TMR(隧道磁阻)磁頭在0.3伏會受損。換句話說，在制造過程中或在磁盤驅(qū)動器里，TMR磁頭常受到由靜電(幾百毫伏)造成的靜電破壞(ESD)。應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。