技術(shù)編號(hào)：6833337
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是提供特具有勢(shì)壘層以及發(fā)光層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 傳統(tǒng)氮化鎵(GaN)系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其發(fā)光層主要以硅(Si)摻雜氮化鎵為勢(shì)壘的多重量子井結(jié)構(gòu)，以局限電子空穴對(duì)在氮化銦鎵(InGaN)勢(shì)阱結(jié)合，用以提高內(nèi)部量子效率(internal quantum efficiency)及降低組件的操作電壓。但也因此部分的光子被此硅摻雜氮化鎵的勢(shì)壘所吸收，而無(wú)法自整個(gè)多重量子井結(jié)構(gòu)逃脫出，使得外部量子效率(external qua...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。