技術(shù)編號(hào)：6833335
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是由p型被覆層的氮化鋁銦(AlxIn1-xN)材料達(dá)成晶格常數(shù)與氮化鎵(GaN)材料相匹配目的，以避免磊晶不良的特性。背景技術(shù) 現(xiàn)有技術(shù)中的氮化銦鎵(InGaN)/氮化鎵(GaN)多重量子井發(fā)光二極管(MQW LEDs)結(jié)構(gòu)，是以p型氮化鋁鎵(AlGaN)為被覆層(cladding layer)，包覆并保護(hù)氮化銦鎵(InGaN)活性發(fā)光層。然而，實(shí)際操作上的觀察發(fā)現(xiàn)，其存在許多缺點(diǎn)，現(xiàn)列舉最嚴(yán)重的兩種如下首先，由于...
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