技術(shù)編號：6833042
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制作單層或多層半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的方法，特別是指一種。背景技術(shù)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)是納米尺寸范圍的微小晶體結(jié)構(gòu)，由于三或二維量子限制作用，半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)具有分立的電子能譜，從而具有傳統(tǒng)的體材料和量子阱材料所不具備的特異的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。更重要的是，這些特異的光電性質(zhì)完全取決于半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀，可以通過對半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的大小和形狀的控制來實現(xiàn)對半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)光電性質(zhì)的人工剪裁。因此半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在光電子器件方面，半導(dǎo)體納...
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