技術(shù)編號：6832586
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，更具體的是涉及一種具有與SONOS不同的膜結(jié)構(gòu)的柵極的半導(dǎo)體存儲器件，以及它的制造方法。 背景技術(shù) 隨著移動存儲器件的最新發(fā)展，諸如易于數(shù)據(jù)共享和交換而不管硬件類型的存儲棒導(dǎo)致對安全存儲大量數(shù)據(jù)的需求增大。這方面的一個可能性是使用閃存器件，即，可以在數(shù)據(jù)塊中擦除或編程的特殊類型的EEPROM，并且即使斷電時還可以保留其內(nèi)容。閃存器件通常是以由包括浮柵、晶體管柵極和控制柵的多層形式構(gòu)成，浮柵存儲電荷，晶體管柵極存儲數(shù)據(jù)，而控制柵...
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