技術(shù)編號(hào)：6832393
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料制備方法及其工藝，主要是在硅(Si)襯底上生長碳化硅(SiC)薄膜，再在SiC薄膜上制備氮化鎵(GaN)薄膜材料。背景技術(shù) 碳化硅、氮化鎵被認(rèn)為是比較有潛力的能夠應(yīng)用于高溫、高壓等極端條件下的第三代半導(dǎo)體材料，在藍(lán)光和紫外光光電子學(xué)領(lǐng)域占有重要地位，也是制作高溫大功率半導(dǎo)體器件的理想材料。GaN材料具有第一代元素半導(dǎo)體(Si、Ge)以及第二代化合物半導(dǎo)體(GaAs、GaP、InP)所不具有的可以在高溫、高頻、大功率、抗輻射...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。