技術(shù)編號：6832220
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體器件及制造半導(dǎo)體器件的方法。更具體，本公開涉及半導(dǎo)體存儲器的接觸結(jié)構(gòu)及其制造方法背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)取得進(jìn)展，在各種電子或電氣設(shè)備中已廣泛地采用具有高存儲容量的半導(dǎo)體器件。特別，DRAM器件如包含具有一個晶體管和一個電容器的單個單位單元的DRAM器件已大大地提高了單元密度。由于單元密度增加，用于將上導(dǎo)電層連接到下導(dǎo)電層的接觸孔已變得更小，而導(dǎo)電層之間的中間絕緣層變得更厚。由于接觸孔具有高的高寬比(接觸孔的高度與其寬度的比率)，用于形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。