技術(shù)編號：6831900
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系相關(guān)于一種用于制造在一半導(dǎo)體基板中之一溝槽電容器的方法，其中，一孔洞溝槽(hole trench)系自一基板表面而被導(dǎo)入該半導(dǎo)體基板之中，并且，一外部電極系被提供于該半導(dǎo)體基板與該孔洞溝槽相毗鄰的區(qū)段之中，再者，該孔洞溝槽系于延伸進(jìn)入該半導(dǎo)體基板的一主動(dòng)區(qū)域中襯以一介電層，以及系于在該基板表面以及該主動(dòng)區(qū)域之間的一頸項(xiàng)區(qū)域(collar region)襯以一絕緣層。此外，本發(fā)明系額外的相關(guān)于一溝槽電容器。背景技術(shù) 在制造如DRAM(Dynamic ...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。