技術(shù)編號(hào)：6831535
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2010年2月4日提交的在先美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)61/301，375的優(yōu)先權(quán)。 背景技術(shù)在此公開的是制備用于各種電子應(yīng)用中的含硅材料或膜的方法和組合物， 例如但不限于化學(xué)計(jì)量的或非化學(xué)計(jì)量的氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅(silicon oxycarbonitride)膜。氧化硅薄膜由于其介電性能而經(jīng)常在半導(dǎo)體制造中用作電介質(zhì)。在硅基半導(dǎo)體器件的制造中，氧化硅膜可用作柵極絕緣、擴(kuò)散掩模、側(cè)壁間隔(sidewall spacer)、硬掩模、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。