技術(shù)編號:6831530
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光刻(lithography)用洗滌液,更詳細(xì)而言,涉及不腐蝕低電介體材料等易腐蝕性材料、能夠有效除去光刻膠膜及下層防反射膜的光刻用洗滌液。本發(fā)明還涉及使用了上述光刻用洗滌液的配線形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置是在硅片等基板上對金屬配線層、低介電體層、絕緣層等進(jìn)行層壓而形成的裝置,采用將光刻膠圖案作為掩膜來進(jìn)行蝕刻處理的光刻法,對上述各層進(jìn)行加工從而制出該半導(dǎo)體裝置。使用洗滌液來除去上述光刻法中所使用的光刻膠膜、暫時層壓膜(亦稱犧牲膜 (犠牲膜))...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。