技術(shù)編號：6831419
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種場效應(yīng)晶體管，尤其涉及一種基于碳納米管的場效應(yīng)晶體管及其制造方法。背景技術(shù)自從第一個IC(Integrated Circuit)誕生以來，以硅器件為基礎(chǔ)的微處理器產(chǎn)品的研發(fā)與制造在摩爾定律下以每18個月晶體管的數(shù)量翻一番的速度極速發(fā)展著。到2002年，微處理器已經(jīng)含有7600萬個晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)非常強(qiáng)大的功能。然而，科學(xué)界普遍認(rèn)為摩爾定律不會永遠(yuǎn)有效，50納米是現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝的極限，而Intel的最新工藝是0.13微米，即硅極限將在10～15...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。