技術(shù)編號：6831142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，特別指氮化鋁外延膜的外延生長方法。背景技術(shù) 在氮化物中，氮化鋁(AlN)占有重要位置。它與氮化鎵(GaN)等III族氮化物一起在短波長發(fā)光二極管(LED)、高溫微電子器件及微波器件如高電子遷移率晶體管(HEMT)等領(lǐng)域都有著廣泛的應用。此外由于AlN自身的獨特性質(zhì)，如很高的聲表面波速度、負電子親和勢等，使得其在聲表面波器件，場發(fā)射陰極等應用方面有著許多潛在的優(yōu)勢。一般來說，AlN外延生長常用的襯底是藍寶石襯底，但是由于藍寶石的熱導率很低，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。