技術(shù)編號：6831141
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及形成半導體器件的方法，尤其涉及用淺溝槽絕緣方法在半導體襯底上絕緣半導體器件的方法。背景技術(shù) 眾所周知，在制作半導體集成電路器件的過程中，器件絕緣技術(shù)一直用于諸如晶體管和電容器的單個器件的電絕緣。在該器件絕緣技術(shù)的各種各樣的方法中，普遍采用硅局部氧化(LOCOS)方法和淺溝槽絕緣(STI)方法。LOCOS方法在硅襯底的有源區(qū)形成基于氮化物層的掩膜圖案，并用該掩膜圖案作為掩膜熱氧化硅襯底。雖然LOCOS方法是如上所述的簡單氧化過程，但LOCOS方法是...
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