技術(shù)編號(hào)：6830824
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 開發(fā)了三維安裝形態(tài)的半導(dǎo)體裝置。并且已知為了實(shí)現(xiàn)三維安裝，在半導(dǎo)體基板上形成貫通電極。這樣，在層疊多個(gè)半導(dǎo)體基板時(shí)，各半導(dǎo)體基板的貫通電極優(yōu)選制成適合于電連接的形狀。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供可靠性高的。(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括具有集成電路且形成有貫通孔的半導(dǎo)體基板；形成于所述貫通孔內(nèi)面的絕緣層；形成為經(jīng)所述絕緣層內(nèi)側(cè)貫通所述半導(dǎo)體基板且在前端面具有凹部的導(dǎo)電部。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電部在前端面具有凹部。因此，前端面的表面積...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。