技術(shù)編號(hào)：6830250
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及將基板吸附保持在靜電夾頭上，對(duì)上述基板進(jìn)行真空處理的裝置。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件制造工序中，例如如利用蝕刻或CVD(化學(xué)氣相沉積)進(jìn)行成膜處理那樣，多數(shù)在真空氣氛氣體中進(jìn)行基板的處理。如圖17所示，進(jìn)行這種處理的真空處理裝置，在處理容器9內(nèi)，配置兼作下部電極用的半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)W的載置臺(tái)91；同時(shí)，在該載置臺(tái)91的上方側(cè)設(shè)置成為上部電極的氣體供給室92。將產(chǎn)生等離子體用的高頻從高頻電源91a加在上述載置臺(tái)91上，在該載置臺(tái)91和氣體供給...
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