技術(shù)編號：6830182
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于化學(xué)機械拋光(CMP)的拋光墊，特別涉及具有優(yōu)化的槽的拋光墊。背景技術(shù) 在集成電路和其它電子器件的制造中，導(dǎo)體、半導(dǎo)體、和電介質(zhì)材料的多層被沉積于半導(dǎo)體晶片的一表面上或從該表面上去除掉?？梢酝ㄟ^許多沉積技術(shù)沉積導(dǎo)體、半導(dǎo)體、和電介質(zhì)材料的薄層。在現(xiàn)代工藝中通用的沉積技術(shù)包括物理的蒸發(fā)沉積(PVD)，或稱之為陰極真空噴鍍，化學(xué)的蒸發(fā)沉積(CVD)、離子增強化學(xué)蒸發(fā)沉積(PECVD)，以及電化學(xué)鍍(ECP)。隨著材料層相繼地沉積和去除，晶片的最上...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。