技術(shù)編號(hào)：6830179
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及具有電容器的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 在最近幾年，已經(jīng)開發(fā)出鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，其中一個(gè)鐵電膜被用作為電容器的介電膜。用于鐵電存儲(chǔ)器中的典型鐵電膜的例子包括Pb(Pb(ZrxTi1-x)O3膜(PZT膜)和SrBi2Ta2O9膜(SBT膜)。PZT是一種鈣鈦礦(perovskite)組合物，并且SBT膜是具有偽鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的一個(gè)Bi aurivillius相組合物。當(dāng)PZT膜被用作為該鐵電膜時(shí)，從改進(jìn)疲勞...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。