技術(shù)編號(hào):6830144
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種保護(hù)晶圓/芯片上再分布層的方法,其較佳地包含一種子層,一銅層位于該種子層上,一鎳層配置于其上,以及一金層覆蓋最后。背景技術(shù) 此一再分布層之制造,其實(shí)現(xiàn)一電連接于有效構(gòu)造以及一聯(lián)合鍵結(jié)臺(tái)之間在一晶圓或一3D結(jié)構(gòu)上以一順從組件的型式,是相關(guān)復(fù)雜且需要一復(fù)數(shù)的光微影處理步驟。因此,首先晶圓必須以光阻涂覆,隨后必須被曝光且顯影。此是隨后以一金屬層涂覆,在其之后,光阻是被剝除。這些處理步驟必須重復(fù)直到所需要層序列被達(dá)成。這些處理步驟是原則上以一下列大...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。